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了解晶閘管dv dt測試儀技術參數
點擊次數：559 更新時間：2018-01-05

IGBTdv dt公測儀   型號規格：DBC-051 
1  綜述  
本分析儀器是可控硅斷態端電壓臨介升率dv／dt技術參數的測試測試設施。適合 
于各方面最快雙項可控硅，各種類型雙項可控硅及雙項雙項可控硅的基本參數測評。本測評儀設計， 
節構適度，控制簡變。其檢驗機制不符合GB4024-83標的歸定。是用電半導體芯片 
電子元件 廠和利用政府部門zui為很理想的檢查測量專用設備。  
2  技巧性能參數  
2.1 zui大測試輸送電壓降：2kV  
2.2 斷態電壓降臨介增漲率dv／dt測試超范圍：≤1000V／μs  
2.3 工作的水平  
電壓：AC  220V±10%  50Hz  
溫度表：0—40℃  
2.4 整個機器功率：乘以100VA  
2.5 空機總重：約15Kg  
2.6 機床外(wai)形尺寸：440×440×150mm 

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