電容電壓特性測試儀產品簡介 
     CV法利用PN結或肖特基勢壘在反向偏壓時的電容特性，可以獲得材料中雜質濃度及其分布的信息，這類測量成為C-V測量技術。這種測量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質濃度分布的信息。 
組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應（勢壘電容），加正向偏壓時，PN結勢壘區變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓是，PN結勢壘區變寬，勢壘電容變小。 
KCV-300電容電壓（C-V）特性測試儀是測試頻率為1MHz的數字式電容測試儀器，于測量半導體器件PN結的勢壘電容在不同偏壓下的電容量，也可測試其它電容。 
儀器有較高的分辨率，電容量是四位讀數，可分辨到0.001pF，偏置電壓分辨率為0.01V，漏電流分辨率為0.01μA。 
該測試儀器性能穩定可靠，功能齊全，精度高，操作簡單，適用于元件 ，科研部門，高等院校等單位。 
電容電壓特性測試儀主要技術指標如下： 
測試信號頻率：1.000MHz±0.01% 
測試信號電壓：≤100mVrms 
電容測量范圍：0.001pF～10000 pF 
誤差：≤±3% 
直流偏壓：自帶偏壓0.01～45V，可外接偏壓源拓展； 
漏電流：0.1～199.9μA 
供電電源：AC220V 50Hz 
消耗功率：<40W