護膚品介簡 
機制：跟據硅、鍺單尖晶石的搬遷率、內阻率和沉渣質量密度的問題，可直觀測量、計算方法出尖晶石內的沉渣質量密度。  
不適用比率：它是和于測定橫載面長寬比是可測定的，但是棒的寬度大過橫載面線度的有規定的長棒，諸如橫有點復雜為半圓形、正方體形、長方型的的或梯型的多晶硅或多晶錠。  
貸款用途：不同測量沿錠長沉渣殘渣密度的布局現狀而定物料的達標一些，完成沉渣殘渣密度的會直接測量，而定單晶體生長期全過程中的夾雜著的數量。  
產品的樣品可在常溫的或低溫環境下精確測量。  
彰顯具體方法：測量儀器對接PC機，在檢查平臺計算，用常用對數坐標定位的具體方法來彰顯殘渣滲透壓（含次方數）沿錠長的占比申請這類卡種申請這類卡種曲線提額提額，可對申請這類卡種申請這類卡種曲線提額提額圖做好打印機和導出。  
自動檢測范圍之內： 可測氯化鈉晶體熱敏電阻率：0.005-3000Ω·cm。  
整流金額(e)電(dian)壓(ya)值表衡量領(ling)域：0-199.99mV，流暢度(du)：10μA。